Name: onsemi NTMS4800NR2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS4800NR2G
Availability: InStock
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onsemi NTMS4800NR2G

Artikelnummer:

NTMS4800NR2G

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Datenblätte:

1.NTMS4800NR2G.pdf ···: Umweltinformationen
onsemi RoHS.pdf

Datenblätter
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Lead free / RoHs compliant

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTMS4800NR2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTMS4800NR2G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (max)	750mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.9A (Ta)
Grundproduktnummer	NTMS48
NTMS4800NR2G Einzelheiten PDF [English]	NTMS4800NR2G PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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